- 品牌：
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- IXYS (2)
- ON Semiconductor (4)
- STMicroelectronics (13)
- Vishay Siliconix (30)
- 系列：
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- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 功率耗散（最大值）：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 4.2... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 4.2... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 4.2... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 2A ... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 700V 3.5... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 700V 3.5... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 600V 5A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 500V 6A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 500V 6A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 22A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 22A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 35A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 35A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 2.4... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 12A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 4.1... |
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700 | 580 | 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 525V 4.4... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 620V 3.8... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 3A... |
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1 | 580 | 提交询价 |
