- 品牌：
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- EPC (6)
- Nexperia USA Inc. (10)
- ON Semiconductor (44)
- Rohm Semiconductor (11)
- STMicroelectronics (16)
- Vishay Siliconix (73)
- 系列：
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- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 功率耗散（最大值）：
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- FET 类型：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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236 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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- | MOSFET N-CH 200V 3A... |
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 200V 0.9... |
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 200V 0.3... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 3.7... |
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Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 200V W-... |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 30A... |
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 200V 20A... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 7A... |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 3.6... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 3.8... |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 3.9... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 4.6... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 7A... |
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 18.... |
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 2.6... |
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 2.3... |
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 200V 0.6... |
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EPC | GANFET TRANS 200V ... |
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EPC | GANFET TRANS 200V ... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 34A... |
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