- 品牌:
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- Diodes Incorporated (138)
- Micro Commercial Co (12)
- Nexperia USA Inc. (82)
- NXP USA Inc. (7)
- ON Semiconductor (112)
- Rohm Semiconductor (18)
- Vishay Siliconix (74)
- 系列:
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- 工作温度:
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- 供应商器件封装:
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- 功率耗散(最大值):
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- FET 类型:
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- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
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- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
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- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
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- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
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- Vgs(最大值):
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- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
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图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 0.3A... |
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1 | 19,790 | 提交询价 | |||
Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 0.3A... |
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1 | 19,790 | 加入购物车 提交询价 | |||
Comchip Technology | MOSFET N-CH 60V 0.25... |
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1 | 2,617 | 提交询价 | |||
Comchip Technology | MOSFET N-CH 60V 0.25... |
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1 | 2,617 | 加入购物车 提交询价 | |||
Comchip Technology | MOSFET N-CH 60V 0.25... |
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3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
Diodes Incorporated | MOSFET 41V 60V SOT2... |
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1 | 1,075 | 提交询价 | |||
Diodes Incorporated | MOSFET 41V 60V SOT2... |
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1 | 1,075 | 加入购物车 提交询价 | |||
Diodes Incorporated | MOSFET 41V 60V SOT2... |
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3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
Diodes Incorporated | MOSFETN-CHAN 60V S... |
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1 | 2,960 | 提交询价 | |||
Diodes Incorporated | MOSFETN-CHAN 60V S... |
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1 | 2,960 | 加入购物车 提交询价 | |||
Diodes Incorporated | MOSFETN-CHAN 60V S... |
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3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 1.8A... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 1.8A... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 200M... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 200M... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 200M... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 200M... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 200M... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 200M... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 230M... |
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1 | 580 | 提交询价 |