零件状态:
功率耗散(最大值):
FET 类型:
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
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SIS439DNT-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 50A...
-
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SIS439DNT-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 50A...
¥5.93
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SIS439DNT-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 50A...
¥2.22
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SI7806ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 9A ...
¥4.88
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SI7806ADN-T1-E3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 9A ...
-
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SI7806ADN-T1-E3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 9A ...
¥11.23
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SI7806ADN-T1-E3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 9A ...
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