零件状态:
功率耗散(最大值):
FET 类型:
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
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SI6443DQ-T1-E3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 7.3A...
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MOSFET N-CH 30V 8.6A...
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MOSFET P-CH 30V 4.7A...
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MOSFET P-CH 30V 4.7A...
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SI6410DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 7.8A...
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MOSFET N-CH 30V 7.8A...
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MOSFET N-CH 30V 7.8A...
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MOSFET P-CH 30V 4.7A...
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MOSFET P-CH 30V 4.7A...
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MOSFET N-CH 30V 7.8A...
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MOSFET N-CH 30V 7.8A...
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MOSFET N-CH 30V 7.8A...
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SI6415DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 6.5A...
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