- 品牌：
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- Diodes Incorporated (61)
- ON Semiconductor (30)
- Rohm Semiconductor (54)
- Vishay Siliconix (6)
- 系列：
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- 安装类型：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- FET 类型：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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- FET 功能：
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226 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 2.5A... |
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 2.5A... |
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 2.5A... |
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 2.8A... |
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 2.8A... |
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 2.8A... |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 3.5A... |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 3.5A... |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 3.5A... |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 10.4... |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 10.4... |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 10.4... |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 4A ... |
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 10A... |
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 30V 11A... |
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 30V 10A... |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 4A ... |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 5.3A... |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 5.3A... |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 3.5A... |
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