封装/外壳:
供应商器件封装:
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
SI1302DL-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 600M...
-
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SI1302DL-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 600M...
¥3.56
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SI1302DL-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 600M...
¥1.22
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DMN313DLT-7 Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 0.27...
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DMN313DLT-7 Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 0.27...
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DMN313DLT-7 Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 0.27...
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SI1302DL-T1-E3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 600M...
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SI1302DL-T1-E3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 600M...
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SI1302DL-T1-E3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 600M...
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