晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列：

零件状态：

包装：

工作温度：

安装类型：

封装/外壳：

供应商器件封装：

功率耗散（最大值）：

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：

Vgs（最大值）：

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：

FET 功能：

已选条件：

2,193 条记录

型号	品牌	描述	价格	起订量	库存	操作
DMP32D5LFA-7B	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 30V 0.3A...	-	1	580	提交询价
DMP32D5LFA-7B	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 30V 0.3A...	¥2.92	1	8,398	加入购物车提交询价
DMP32D5LFA-7B	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 30V 0.3A...	¥0.36	10,000	580	加入购物车提交询价
RE1E002SPTCL	Rohm Semiconductor	MOSFET P-CH 30V 0.25...	-	1	2,762	提交询价
RE1E002SPTCL	Rohm Semiconductor	MOSFET P-CH 30V 0.25...	¥2.37	1	2,762	加入购物车提交询价
RE1E002SPTCL	Rohm Semiconductor	MOSFET P-CH 30V 0.25...	¥0.40	3,000	580	加入购物车提交询价
IRFHM9391TRPBF	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 30V 11A...	-	1	580	提交询价
IRFHM9391TRPBF	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 30V 11A...	-	1	580	提交询价
IRFHM9391TRPBF	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 30V 11A...	¥2.24	1	4,000	加入购物车提交询价
SIS439DNT-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 30V 50A...	-	1	5,460	提交询价
SIS439DNT-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 30V 50A...	¥5.93	1	5,460	加入购物车提交询价
SIS439DNT-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 30V 50A...	¥2.22	1	3,000	加入购物车提交询价
ZXM62P03E6TA	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 30V 2.6A...	¥5.77	1	1,650	加入购物车提交询价
ZXM62P03E6TA	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 30V 2.6A...	¥2.17	3,000	3,000	加入购物车提交询价
RSC002P03T316	Rohm Semiconductor	MOSFET P-CH 30V 0.25...	-	1	2,308	提交询价
RSC002P03T316	Rohm Semiconductor	MOSFET P-CH 30V 0.25...	¥2.13	1	2,308	加入购物车提交询价
RSC002P03T316	Rohm Semiconductor	MOSFET P-CH 30V 0.25...	¥0.36	3,000	580	加入购物车提交询价
SI4833BDY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CHANNEL...	-	1	2,500	提交询价
SI4833BDY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CHANNEL...	¥5.37	1	2,500	加入购物车提交询价
SI4833BDY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CHANNEL...	¥2.01	1	2,500	加入购物车提交询价

1 / 110 页共 2193 条

请选择以下客服在线沟通：

客服热线