- 品牌:
-
- ON Semiconductor (3)
- 封装/外壳:
-
- 供应商器件封装:
-
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
-
- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
-
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
-
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
-
- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
-
- FET 功能:
-
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 2.3A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | |||
Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET P-CH 30V 2.3A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | |||
Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET P-CH 30V 2.3A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | |||
Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET P-CH 30V 2.3A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 2.3A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | |||
ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 2.3A... |
-
|
1 | 484 | 提交询价 | |||
ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 2.3A... |
|
1 | 484 | 加入购物车 提交询价 | |||
ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 2.3A... |
|
2,500 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 2.3A... |
-
|
1 | 7,863 | 提交询价 | |||
Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 2.3A... |
|
1 | 7,863 | 加入购物车 提交询价 | |||
Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 2.3A... |
|
4,000 | 4,000 | 加入购物车 提交询价 | |||
Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 2.3A... |
-
|
1 | 15,745 | 提交询价 | |||
Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 2.3A... |
|
1 | 15,745 | 加入购物车 提交询价 | |||
Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 2.3A... |
|
3,000 | 12,000 | 加入购物车 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 2.3A... |
-
|
1 | 19,583 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 2.3A... |
|
1 | 19,583 | 加入购物车 提交询价 | |||
Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 2.3A... |
-
|
1 | 15,097 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 2.3A... |
|
3,000 | 18,000 | 加入购物车 提交询价 | |||
Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 2.3A... |
|
1 | 15,097 | 加入购物车 提交询价 | |||
Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 2.3A... |
|
250 | 14,750 | 加入购物车 提交询价 |