- 品牌：
-
- ON Semiconductor (35)
- Rohm Semiconductor (16)
- Vishay Siliconix (28)
- 系列：
-
- 零件状态：
-
- 封装/外壳：
-
- 供应商器件封装：
-
- 功率耗散（最大值）：
-
- FET 类型：
-
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
-
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
-
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
-
- Vgs（最大值）：
-
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
-
- FET 功能：
-
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 11A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 11A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 11A... |
|
1 | 4,000 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 11A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 11A... |
|
1 | 1,639 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 11A... |
|
2,500 | 2,500 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 11A... |
|
2,500 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 11A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 11A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 11A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 11A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 30V 11A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 11A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 11A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 11A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 11A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 11A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 11A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 11A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 11A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 |
