供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
SQ4431EY-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 10.8...
-
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SQ4431EY-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 10.8...
¥7.59
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SQ4431EY-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 10.8...
¥3.13
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BSP250,115 Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 30V 3A ...
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MOSFET P-CH 30V 3A ...
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MOSFET P-CH 30V 3A ...
¥4.82
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MOSFET P-CH 30V 3A ...
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BSP250,135 Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 30V 3A ...
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BSP250,115 Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 30V 3A ...
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