- 零件状态：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 功率耗散（最大值）：
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- FET 类型：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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150 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Rohm Semiconductor | RS1E301GN IS A POWE... |
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Rohm Semiconductor | RS1E301GN IS A POWE... |
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Rohm Semiconductor | RS1E301GN IS A POWE... |
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Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 28A... |
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Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 28A... |
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Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 28A... |
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Rohm Semiconductor | RS1E260AT IS THE HI... |
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Rohm Semiconductor | RS1E260AT IS THE HI... |
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Rohm Semiconductor | RS1E260AT IS THE HI... |
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Rohm Semiconductor | RS3E180AT IS A POWE... |
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Rohm Semiconductor | RS3E180AT IS A POWE... |
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Rohm Semiconductor | RS3E180AT IS A POWE... |
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Rohm Semiconductor | RS1E220AT IS A POWE... |
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Rohm Semiconductor | RS1E220AT IS A POWE... |
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Rohm Semiconductor | RS1E220AT IS A POWE... |
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Rohm Semiconductor | 4.5V DRIVE NCH MOS... |
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Rohm Semiconductor | 4.5V DRIVE NCH MOS... |
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Rohm Semiconductor | 4.5V DRIVE NCH MOS... |
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Rohm Semiconductor | RQ6E060AT IS LOW ON... |
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Rohm Semiconductor | RQ6E060AT IS LOW ON... |
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