- 封装/外壳：
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- 功率耗散（最大值）：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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46 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V SG... |
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V SG... |
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V SG... |
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 5A ... |
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 5A ... |
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 5A ... |
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Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 30V 300M... |
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Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 30V 300M... |
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Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 30V 300M... |
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Nexperia USA Inc. | NX3008NBK/SOT23/TO-2... |
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 8A ... |
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 8A ... |
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 8A ... |
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 0.9A... |
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 0.9A... |
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 0.9A... |
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 530M... |
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 530M... |
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 530M... |
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Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 30V 4A ... |
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