晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列：

包装：

工作温度：

封装/外壳：

供应商器件封装：

功率耗散（最大值）：

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：

Vgs（最大值）：

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：

已选条件：

6 条记录

型号	品牌	描述	价格	起订量	库存	操作
SQA470EEJ-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CHAN 30V ...	-	1	580	提交询价
SQA470EEJ-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CHAN 30V ...	¥4.27	1	580	加入购物车提交询价
SQA470EEJ-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CHAN 30V ...	¥1.46	3,000	580	加入购物车提交询价
SSM3K376R,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	SMALL LOW RON NCH...	-	1	5,556	提交询价
SSM3K376R,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	SMALL LOW RON NCH...	¥3.87	1	5,556	加入购物车提交询价
SSM3K376R,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	SMALL LOW RON NCH...	¥0.60	3,000	3,000	加入购物车提交询价

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