供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
IRLR8729PBF Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 58A...
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IRLU8729-701PBF Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 58A...
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PHK18NQ03LT,518 Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 20.3...
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IRLR8729TRLPBF Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 58A...
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IRLR8729TRPBF Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 58A...
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IRLR8729TRPBF Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 58A...
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IRLR8729TRPBF Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 58A...
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