供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
RSH090N03TB1 -
MOSFET N-CH 30V 9A ...
-
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RSH090N03TB1 -
MOSFET N-CH 30V 9A ...
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RSH090N03TB1 -
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DMN4800LSS-13 Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 9A ...
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FDMA8878 ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 9A ...
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FDMA8878 ON Semiconductor
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