零件状态:
供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
FET 类型:
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
SI7491DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 11A...
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SI7384DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
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SI7491DP-T1-E3 Vishay Siliconix
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SI7384DP-T1-E3 Vishay Siliconix
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DMN3010LFG-13 Diodes Incorporated
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2,000 580 加入购物车 提交询价
DMN3010LFG-7 Diodes Incorporated
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DMN3010LFG-7 Diodes Incorporated
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