零件状态:
功率耗散(最大值):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
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TPC8109(TE12L) Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 30V 10A...
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TPC8109(TE12L) Toshiba Semiconductor and Storage
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SQA403EJ-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CHAN 30V
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SQA403EJ-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CHAN 30V
¥4.27
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SQA403EJ-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CHAN 30V
¥1.46
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