供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
PMV60EN,215 NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 4.7A...
-
1 580 提交询价
PMV60EN,215 NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 4.7A...
-
1 580 提交询价
PMV60EN,215 NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 4.7A...
-
1 580 提交询价
STS4DNFS30L STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 4A ...
-
1 580 提交询价
STS4DNFS30L STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 4A ...
-
1 580 提交询价
STS4DNFS30L STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 4A ...
-
1 580 提交询价
STS4DNFS30 STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 4.5A...
-
1 2,564 提交询价
STS4DNFS30 STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 4.5A...
¥12.65
1 2,564 加入购物车 提交询价
STS4DNFS30 STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 4.5A...
¥5.60
1 2,500 加入购物车 提交询价
1 / 1 页 共 9 条