供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
Vgs(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
SI7888DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 9.4A...
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SI7888DP-T1-E3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 9.4A...
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SI4892DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 8.8A...
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SI4892DY-T1-E3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 8.8A...
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