供应商器件封装:
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
SIRC04DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A...
-
1 6,000 提交询价
SIRC04DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A...
¥13.52
1 6,000 加入购物车 提交询价
SIRC04DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A...
¥6.01
3,000 6,000 加入购物车 提交询价
SISC06DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V
-
1 6,000 提交询价
SISC06DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V
¥7.59
1 6,000 加入购物车 提交询价
SISC06DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V
¥3.13
3,000 6,000 加入购物车 提交询价
SIRC06DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V
-
1 6,000 提交询价
SIRC06DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V
¥7.51
1 6,000 加入购物车 提交询价
SIRC06DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V
¥3.10
3,000 6,000 加入购物车 提交询价
1 / 1 页 共 9 条