零件状态:
供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
FET 类型:
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
SPD50N03S2L-06 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A...
-
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SPD30N03S2L-07 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A...
-
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SPD50N03S2L06GBTMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A...
¥10.44
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IPD50N03S2L06ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A...
¥9.72
1 1,337 加入购物车 提交询价
SPD50N03S2L06T Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A...
¥8.54
1 1,997 加入购物车 提交询价
IPD50P03P4L11ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 50A...
¥10.59
1 2,563 加入购物车 提交询价
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