- 品牌：
-
- NXP USA Inc. (1)
- ON Semiconductor (2)
- 封装/外壳：
-
- 功率耗散（最大值）：
-
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
-
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
-
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
-
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
-
- Vgs（最大值）：
-
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
-
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 38A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 38A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Toshiba Semiconductor and Storage | SMALL SIGNAL MOS... |
-
|
1 | 1,202 | 提交询价 | ||
|
|
Toshiba Semiconductor and Storage | SMALL SIGNAL MOS... |
|
1 | 1,202 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Toshiba Semiconductor and Storage | SMALL SIGNAL MOS... |
|
3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 38A... |
|
1 | 1,107 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P CH 30V 6A ... |
-
|
1 | 6,279 | 提交询价 | ||
|
|
Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P CH 30V 6A ... |
|
1 | 6,279 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P CH 30V 6A ... |
|
3,000 | 6,000 | 加入购物车 提交询价 |
