零件状态:
供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
FET 类型:
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
SI4833BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CHANNEL...
-
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SI4833BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CHANNEL...
¥5.37
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SI4833BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CHANNEL...
¥2.01
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SIRA28BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V PO...
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SIRA28BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V PO...
¥4.66
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SIRA28BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V PO...
¥1.60
3,000 6,000 加入购物车 提交询价
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