供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
SI3453DV-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CHANNEL...
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SI3453DV-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CHANNEL...
¥3.16
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SI3453DV-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CHANNEL...
¥0.87
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SQ2303ES-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CHAN 30V ...
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SQ2303ES-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CHAN 30V ...
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SQ2303ES-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CHAN 30V ...
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