- 品牌:
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- Texas Instruments (12)
- Vishay Siliconix (6)
- 功率耗散(最大值):
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- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
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- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
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- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
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- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
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- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
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图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 7.4A... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 7.4A... |
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2,500 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 7.2A... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 7.2A... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 7.2A... |
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Texas Instruments | 30V N CH MOSFET |
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1 | 4,728 | 提交询价 | |||
Texas Instruments | 30V N CH MOSFET |
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1 | 4,728 | 加入购物车 提交询价 | |||
Texas Instruments | 30V N CH MOSFET |
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2,500 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 40A... |
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1 | 2,999 | 提交询价 | |||
Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 40A... |
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 40A... |
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3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 25.4... |
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1 | 1,552 | 提交询价 | |||
Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 25.4... |
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 25.4... |
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2,500 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
Texas Instruments | 30V N-CHANNEL NEXF... |
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1 | 1,039 | 提交询价 | |||
Texas Instruments | 30V N-CHANNEL NEXF... |
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1 | 1,039 | 加入购物车 提交询价 | |||
Texas Instruments | 30V N-CHANNEL NEXF... |
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250 | 750 | 加入购物车 提交询价 | |||
Texas Instruments | 30V N-CHANNEL NEXF... |
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1 | 1,747 | 提交询价 | |||
Texas Instruments | 30V N-CHANNEL NEXF... |
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1 | 1,747 | 加入购物车 提交询价 | |||
Texas Instruments | 30V N-CHANNEL NEXF... |
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250 | 1,500 | 加入购物车 提交询价 |