- 品牌：
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- ON Semiconductor (5)
- Texas Instruments (12)
- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 功率耗散（最大值）：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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- FET 功能：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 30V 60A... |
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Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 30V 60A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 30V 60A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 30V 60A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 30V 60A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 30V 60A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 60A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 60A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 60A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 60A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 30V 60A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 60A... |
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2,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET P-CHANNEL... |
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3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 60A... |
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1 | 681 | 提交询价 | ||
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 60A... |
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1 | 681 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 60A... |
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5,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 60A... |
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1 | 1,099 | 提交询价 | ||
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 60A... |
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1 | 1,099 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 60A... |
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250 | 1,000 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 60A... |
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1 | 1,364 | 提交询价 |
