零件状态:
供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
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SI3481DV-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 4A ...
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SI3481DV-T1-E3 Vishay Siliconix
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TSM3481CX6 RFG Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET P-CHANNEL...
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TSM3481CX6 RFG Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET P-CHANNEL...
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TSM3481CX6 RFG Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET P-CHANNEL...
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