- 品牌：
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- Diodes Incorporated (13)
- NXP USA Inc. (3)
- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 功率耗散（最大值）：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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23 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 180M... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 180M... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 180M... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET P-CHANNEL... |
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6,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 0.35... |
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10,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 0.27... |
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1 | 5,967 | 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 0.27... |
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1 | 5,967 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 0.27... |
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3,000 | 3,000 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 0.35... |
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1 | 14,265 | 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 0.35... |
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1 | 14,265 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 0.35... |
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3,000 | 12,000 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 0.38... |
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1 | 45,671 | 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 0.38... |
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1 | 45,671 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 0.38... |
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3,000 | 45,000 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 180M... |
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1 | 313,085 | 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 180M... |
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1 | 313,085 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 180M... |
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3,000 | 312,000 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 200M... |
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1 | 28,634 | 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 200M... |
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1 | 28,634 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 200M... |
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3,000 | 27,000 | 加入购物车 提交询价 |
