- 品牌：
-
- 封装/外壳：
-
- 供应商器件封装：
-
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
-
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
-
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
-
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
-
16 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 8.9A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 8.9A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 7.2A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 7.2A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 7.2A... |
|
1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A... |
-
|
1 | 939 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A... |
|
1 | 939 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P CH 30V 4A ... |
-
|
1 | 10,271 | 提交询价 | ||
|
|
Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P CH 30V 4A ... |
|
1 | 10,271 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P CH 30V 4A ... |
|
3,000 | 9,000 | 加入购物车 提交询价 |
