零件状态:
供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
TSM120NA03CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET N-CH 30V 39A...
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TSM120NA03CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET N-CH 30V 39A...
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TSM120NA03CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET N-CH 30V 39A...
¥1.62
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DMG6402LDM-7 Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 5.3A...
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DMG6402LDM-7 Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 5.3A...
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DMG6402LDM-7 Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 5.3A...
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DMN3404L-7 Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 5.8A...
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DMN3404L-7 Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 5.8A...
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DMN3404L-7 Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 5.8A...
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