零件状态:
供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
BSD314SPEL6327HTSA1 Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 1.5A...
-
1 580 提交询价
BSD314SPEL6327HTSA1 Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 1.5A...
-
1 580 提交询价
BSD314SPEL6327HTSA1 Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 1.5A...
-
1 580 提交询价
BSS314PEL6327HTSA1 Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 1.5A...
-
1 580 提交询价
BSD314SPEH6327XTSA1 Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 1.5A...
¥0.77
9,000 580 加入购物车 提交询价
BSH202,215 Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 30V 520M...
-
1 13,841 提交询价
BSH202,215 Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 30V 520M...
¥3.00
1 13,841 加入购物车 提交询价
BSH202,215 Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 30V 520M...
¥0.82
3,000 12,000 加入购物车 提交询价
BSS314PEH6327XTSA1 Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 1.5A...
-
1 11,164 提交询价
BSS314PEH6327XTSA1 Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 1.5A...
¥3.87
1 11,164 加入购物车 提交询价
BSS314PEH6327XTSA1 Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 1.5A...
¥0.69
3,000 9,000 加入购物车 提交询价
1 / 1 页 共 11 条