功率耗散(最大值):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
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PSMN7R5-30MLDX Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 57A...
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PSMN7R5-30MLDX Nexperia USA Inc.
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PSMN7R5-30MLDX Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 57A...
¥1.63
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PSMN7R5-30YLDX Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 51A...
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PSMN7R5-30YLDX Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 51A...
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PSMN7R5-30YLDX Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 51A...
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DMN3032LE-13 Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 5.6A...
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DMN3032LE-13 Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 5.6A...
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DMN3032LE-13 Diodes Incorporated
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