供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
FDC8886 ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 6.5A...
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FDC8886 ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 6.5A...
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RF4E110GNTR Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11A...
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RF4E110GNTR Rohm Semiconductor
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RF4E110GNTR Rohm Semiconductor
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FDC8884 ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 6.5A...
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FDC8884 ON Semiconductor
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FDC8884 ON Semiconductor
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