供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
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FDC8886 ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 6.5A...
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FDC8886 ON Semiconductor
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FDC8884 ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 6.5A...
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FDC8884 ON Semiconductor
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FDC8884 ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 6.5A...
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FDN537N ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 6.5A...
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FDN537N ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 6.5A...
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FDN537N ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 6.5A...
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