供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
HAT2116H-EL-E Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 30A...
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ATP202-TL-H ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 50A...
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ATP202-TL-H ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 50A...
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ATP202-TL-H ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 50A...
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