零件状态:
供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
SI4410DY Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 10A...
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SI4410DYPBF Infineon Technologies
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FDMS8888 ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 13.5...
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FDMS8888 ON Semiconductor
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FDMS8888 ON Semiconductor
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FDMS8880 ON Semiconductor
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FDMS8880 ON Semiconductor
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FDMS8880 ON Semiconductor
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SI4410DYTRPBF Infineon Technologies
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