系列:
零件状态:
功率耗散(最大值):
FET 类型:
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
FDN337N-F169 ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V SS...
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TPC6008-H(TE85L,FM Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 5.9A...
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DMP3165L-7 Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 25V-...
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DMP3165L-13 Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 25V-...
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FDN337N ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 2.2A...
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FDN337N ON Semiconductor
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FDN337N ON Semiconductor
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