晶体管 - FET，MOSFET - 单

包装：

封装/外壳：

供应商器件封装：

功率耗散（最大值）：

FET 类型：

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：

已选条件：

7 条记录

型号	品牌	描述	价格	起订量	库存	操作
AO4405E	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET P-CHANNEL...	¥0.93	6,000	580	加入购物车提交询价
DMG3406L-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 3.6A...	-	1	2,894	提交询价
DMG3406L-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 3.6A...	¥3.24	1	2,894	加入购物车提交询价
DMG3406L-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 3.6A...	¥0.58	3,000	580	加入购物车提交询价
DMG3406L-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 3.6A...	-	1	151,910	提交询价
DMG3406L-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 3.6A...	¥3.24	1	151,910	加入购物车提交询价
DMG3406L-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 3.6A...	¥0.46	10,000	140,000	加入购物车提交询价

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