封装/外壳:
供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
FET 类型:
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
RF4E070GNTR Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 7A ...
-
1 1,659 提交询价
RF4E070GNTR Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 7A ...
¥4.03
1 1,659 加入购物车 提交询价
RF4E070GNTR Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 7A ...
¥1.10
3,000 580 加入购物车 提交询价
RQ5E025ATTCL Rohm Semiconductor
MOSFET P-CHANNEL...
-
1 11,157 提交询价
RQ5E025ATTCL Rohm Semiconductor
MOSFET P-CHANNEL...
¥3.40
1 11,157 加入购物车 提交询价
RQ5E025ATTCL Rohm Semiconductor
MOSFET P-CHANNEL...
¥0.95
3,000 9,000 加入购物车 提交询价
1 / 1 页 共 6 条