供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
SIRA10BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 30V
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SIRA10BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 30V
¥6.88
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SIRA10BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 30V
¥2.56
3,000 580 加入购物车 提交询价
NTD4965NT4G ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 68A...
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NTD4965NT4G ON Semiconductor
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¥5.06
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¥1.90
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