- 品牌：
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- Diodes Incorporated (14)
- Vishay Siliconix (3)
- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 功率耗散（最大值）：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 13A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 13A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 13A... |
-
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 13A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET NCH 30V 16A ... |
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3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH |
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3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET NCH 30V 14.1A... |
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10,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 13A... |
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1 | 4,998 | 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 13A... |
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1 | 4,998 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 13A... |
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3,000 | 3,000 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 31V ... |
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1 | 5,062 | 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 31V ... |
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1 | 5,062 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET NCH 30V 14.1A... |
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3,000 | 3,000 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CHA 30V 16... |
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1 | 2,110 | 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CHA 30V 16... |
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1 | 2,110 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CHA 30V 16... |
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2,500 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 17.1... |
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1 | 1,246 | 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 17.1... |
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1 | 1,246 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 17.1... |
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3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CHA 30V 16... |
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1 | 3,630 | 提交询价 |
