系列:
零件状态:
封装/外壳:
功率耗散(最大值):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
NTMKE4892NT1G ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 126A...
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IRFH7932TR2PBF Infineon Technologies
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