供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
FET 类型:
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
RQ6E050ATTCR Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 5A ...
¥1.37
3,000 580 加入购物车 提交询价
FDS8882 ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 9A ...
¥2.21
2,500 2,500 加入购物车 提交询价
1 / 1 页 共 2 条