- 品牌：
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- Diodes Incorporated (10)
- Nexperia USA Inc. (12)
- Texas Instruments (10)
- 供应商器件封装：
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- 功率耗散（最大值）：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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32 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 0.55... |
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10,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 0.3A... |
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10,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V SG... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V SG... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V-... |
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10,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 0.3A... |
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10,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 30V 300M... |
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10,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 3.2A... |
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3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 0.9A... |
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10,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V SG... |
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10,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 530M... |
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10,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 540M... |
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10,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | PMH550UNE/SOT8001/DF... |
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10,000 | 20,000 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | PMH1200UPE/SOT8001/D... |
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10,000 | 20,000 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 5.9A... |
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250 | 7,000 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 0.2A... |
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10,000 | 10,000 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 30V SO... |
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10,000 | 10,000 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V SO... |
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10,000 | 20,000 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V SO... |
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10,000 | 10,000 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 30V SO... |
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10,000 | 10,000 | 加入购物车 提交询价 |
