功率耗散(最大值):
FET 类型:
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
SQS482ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 30V ...
-
1 40 提交询价
SQS482ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 30V ...
¥7.11
1 40 加入购物车 提交询价
SQS482ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 30V ...
¥2.64
3,000 580 加入购物车 提交询价
SQS407ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V PP...
-
1 2,251 提交询价
SQS407ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V PP...
¥6.96
1 2,251 加入购物车 提交询价
SQS407ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V PP...
¥2.96
3,000 580 加入购物车 提交询价
1 / 1 页 共 6 条