- 功率耗散（最大值）：
-
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
-
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
-
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
-
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
-
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
-
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 5.7A... |
-
|
1 | 2,816 | 提交询价 | ||
|
|
Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 5.7A... |
|
1 | 2,816 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 5.7A... |
|
3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 5.1A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 5.1A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 5.1A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 5.2A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 5.2A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 5.2A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Nexperia USA Inc. | PMN25ENE/SOT457/SC-... |
|
3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Nexperia USA Inc. | PMN50EPE/SOT457/SC-... |
|
3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 30V 4.4A... |
|
3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 4.5A... |
-
|
1 | 13,101 | 提交询价 | ||
|
|
Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 4.5A... |
|
1 | 13,101 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 4.5A... |
|
3,000 | 12,000 | 加入购物车 提交询价 |
