- 品牌：
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- NXP USA Inc. (7)
- ON Semiconductor (7)
- Vishay Siliconix (1)
- 工作温度：
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- 功率耗散（最大值）：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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44 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 6A ... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 6A ... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 6A ... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 6A ... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 7.4A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 7.4A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 7.4A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 2.9A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V EN... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V EN... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V EN... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V SO... |
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2,500 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 3.9A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 3.9A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 4.6A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 3.7A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 4.6A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 75A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 3.9A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 4.6A... |
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1 | 580 | 提交询价 |
