零件状态:
功率耗散(最大值):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
IRL3103D1SPBF Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 64A...
-
1 580 提交询价
IRL3103D1STRLP Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 64A...
-
1 580 提交询价
IRL3103D1STRLP Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 64A...
-
1 580 提交询价
IRL3103D1STRLP Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 64A...
-
1 580 提交询价
IRL3103D2STRL Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 54A...
-
1 580 提交询价
IRL3103D2S Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 54A...
-
1 580 提交询价
IRL3103D1STRR Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 64A...
-
1 580 提交询价
IRL3103D1STRL Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 64A...
-
1 580 提交询价
IRL3103D1S Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 64A...
-
1 580 提交询价
1 / 1 页 共 9 条