封装/外壳:
供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
FET 类型:
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
CSD13306W Texas Instruments
MOSFET N-CH 12V 3.5A
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MOSFET N-CH 12V 3.5A
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CSD13306W Texas Instruments
MOSFET N-CH 12V 3.5A
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CSD13306WT Texas Instruments
MOSFET N-CH 12V 6DS...
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CSD13306WT Texas Instruments
MOSFET N-CH 12V 6DS...
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CSD13306WT Texas Instruments
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¥2.79
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CSD23382F4T Texas Instruments
MOSFET P-CH 12V 3.5A...
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CSD23382F4T Texas Instruments
MOSFET P-CH 12V 3.5A...
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CSD23382F4T Texas Instruments
MOSFET P-CH 12V 3.5A...
¥1.51
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CSD23382F4 Texas Instruments
MOSFET P-CH 12V 3.5A...
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CSD23382F4 Texas Instruments
MOSFET P-CH 12V 3.5A...
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CSD23382F4 Texas Instruments
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